深圳市铭昌源科技有限公司

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规格

产品属性属性值搜索类似

制造商:DiodesIncorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:详细信息

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-23-3

通道数量:1Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:-60V

Id-连续漏极电流:-1.5A

RdsOn-漏源导通电阻:350mOhms

Vgsth-栅源极阈值电压:-1V

Vgs-栅极-源极电压:-10V

Qg-栅极电荷:4.1nC

最小工作温度:-55C

最大工作温度:+150C

配置:Single

Pd-功率耗散:1.17W

通道模式:Enhancement

封装:Reel

晶体管类型:1P-Channel

商标:DiodesIncorporated

下降时间:7.3ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.8ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12.3ns

典型接通延迟时间:3.6ns

单位重量:8mg

应用优势

1、场效应晶体管是电压控制元件，而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用双极晶体管。

2、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比双极晶体管好。

3、场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极结型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。

4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

MOSFET在1960年由贝尔实验室（BellLab.）的D.Kahng和MartinAtalla首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（WilliamShockley）等人发明的双载流子结型晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型集成电路（Large-ScaleIntegratedCircuits，LSI）或是超大型集成电路（VeryLarge-ScaleIntegratedCircuits，VLSI）的领域里，重要性远超过BJT。