K9K8G08U0A-PCB0

在提供1G X 8位，在K9K8G08U0A是8G位的NAND闪存与备件256M位。它的NAND单元提供了最具成本

有效的解决了固态应用市场。一个程序可以运行在典型的为200ps的（ 2K + 64 ）字节进行

页和擦除操作可在典型的1.5ms的一个（ 128K + 4K ）字节块上进行。在数据寄存器中的数据可以被读出

每字节25ns的周期时间。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上

写控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和

裕数据。即使是写密集型系统可以采取K9K8G08U0A的扩展的100K计划的可靠性的优势/

通过提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。该K9K8G08U0A是最佳解决方案

灰对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他需要的非挥发性的便携式应用。

有两个堆叠的8Gb用两个芯片选用超高密度解决方案也是标准TSOPI封装。

特点

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电源

- 2.70V ~ 3.60V

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组织

- 存储单元阵列： （ 1G + 32M ）× 8位

- 数据寄存器： （ 2K + 64 ）× 8位

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自动编程和擦除

- 页编程： （ 2K + 64 ）字节

- 块擦除： （ 128K + 4K ）字节

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页面读取操作

- 页面大小： （ 2K + 64 ）字节

- 随机读取：在25μs （最大值）

- 串行访问： 25ns的（最小）

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快速写周期时间

- 页编程时间：为200μs （典型值）

- 块擦除时间： 1.5毫秒（典型值）。

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命令/地址/数据多路复用I / O端口

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硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

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可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力： 100K编程/擦除周期（有1位/ 512字节

ECC ）

- 数据保存： 10年

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命令式操作

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智能拷贝回内部位/ 528Byte EDC

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独特的ID为版权保护

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包装：

- K9K8G08U0A - PCB0 / PIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9WAG08U1A - PCB0 / PIB0

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

- K9WAG08U1A - ICB0 / IIB0

52 - 针TLGA （ 12 ×17 / 1.0毫米间距）

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