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IGA30N60H3	文件：1.62111 Mbytes Page：15 Pages	High speed switching series third generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGA30N60H3XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 18A 43W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BIDNW30N60H3	文件：1.33514 Mbytes Page：10 Pages	BIDNW30N60H3InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDNW30N60H3IGBTdevicecombinestechnologyfromaMOS gateandabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacter	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
IGB30N60H3	文件：1.63937 Mbytes Page：14 Pages	600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGB30N60H3	文件：1.45972 Mbytes Page：14 Pages	600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N60H3	文件：2.10965 Mbytes Page：14 Pages	Highspeedswitchingseriesthirdgeneration TRENCHSTOPtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N60H3	文件：269.93 Kbytes Page：2 Pages	TrenchandFieldstopIGBT DESCRIPTION ·Verylowturn-offenergy ·LowVCEsat ·Maximumjunctiontemperature175℃ ·LowEMI APPLICATIONS ·Converterswithhighswitchingfrequency ·Weldingconverters ·Uninterruptiblepowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IGW30N60H3	文件：1.5673 Mbytes Page：14 Pages	HighspeedIGBTINTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60H3	文件：2.19193 Mbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW30N60H3	文件：1.64752 Mbytes Page：16 Pages	HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceMod	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
IGA30N60H3
功能描述：
IGBT 晶体管 HI SPEED SWITCHING 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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