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IGB20N60H3	文件：1.64204 Mbytes Page：14 Pages	600V high speed switching series third generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP20N60H3	文件：2.11172 Mbytes Page：14 Pages	Highspeedswitchingseriesthirdgeneration HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoH	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW20N60H3	文件：2.00468 Mbytes Page：14 Pages	HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKB20N60H3	文件：1.83201 Mbytes Page：16 Pages	HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKP20N60H3	文件：2.29999 Mbytes Page：16 Pages	HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW20N60H3	文件：1.6484 Mbytes Page：16 Pages	HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceMode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW20N60H3	文件：2.19606 Mbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
IGB20N60H3
功能描述：
IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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