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IGW03N120H2	文件：397.57 Kbytes Page：13 Pages	HighSpeed 2-Technology HighSpeed2-Technology •Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter -optimisedforsoft-switching/resonanttopologies •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IGW03N120H2FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGA03N120H2	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IKB03N120H2	文件：298.72 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.8V@IC=3A ·TemperatureStableBehavior ·ParallelSwitchingCapability APPLICATIONS ·Designedforfrequencyinvertersforwashingmachines, pumps,fansandvacuumcleaners	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IKP03N120H2	文件：381.11 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
IGW03N120H2
功能描述：
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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