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IGW25T120	文件：355.31 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology LowLossIGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedne	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW25T120	文件：412.87 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW25T120_09	文件：355.31 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop짰 and Fieldstop technology LowLossIGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedne	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW25T120FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FGH25T120SMD	文件：308.64 Kbytes Page：9 Pages	1200V,25AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G25T120	文件：355.31 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnology LowLossIGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedne	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW25T120	文件：450.8 Kbytes Page：15 Pages	TRENCHSTOPSERIES LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •Approx.1.0VreducedVCE(sat)and0.5VreducedVFcomparedtoBUP314D •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW25T120	文件：374.05 Kbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
K25T120	文件：450.8 Kbytes Page：15 Pages	TRENCHSTOPSERIES LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •Approx.1.0VreducedVCE(sat)and0.5VreducedVFcomparedtoBUP314D •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
MBQ25T120FESC	文件：1.46779 Mbytes Page：10 Pages	HighspeedFieldstopTrenchIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ25T120FESCTH	文件：1.46779 Mbytes Page：10 Pages	HighspeedFieldstopTrenchIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
NLV25T120J	文件：2.13937 Mbytes Page：14 Pages	InductorsforStandardCircuitsWoundFerrite OverviewoftheNLVSeries FEATURES •Resinmoldtypewoundinductorforstandardcircuits. •0.01to470μH,E-12Series,widelineupcompatiblewithJ(±5)tolerance,canbeusedforapplicationsthatneedtomeetstrictLtolerancesuchasfiltercircuits. •Hasexcellentinductancetemperat	TDKTDK Corporation 东电化（中国）投资有限公司	TDK
SIGC25T120C	文件：66.09 Kbytes Page：4 Pages	IGBTChipinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SIGC25T120CL	文件：66.32 Kbytes Page：4 Pages	IGBTChipinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SIGC25T120CS	文件：66.16 Kbytes Page：4 Pages	IGBTChipinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
IGW25T120
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 25A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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