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IKW25T120分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IKW25T120
厂商型号

IKW25T120

参数属性

IKW25T120 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 50A 190W TO247-3

功能描述

TRENCHSTOP SERIES
IGBT 1200V 50A 190W TO247-3

文件大小

450.8 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-29 12:02:00

IKW25T120规格书详情

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

• Approx. 1.0V reduced VCE(sat) and 0.5V reduced VF compared to BUP314D

• Short circuit withstand time – 10µs

• Designed for :

- Frequency Converters

- Uninterrupted Power Supply

• Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

• NPT technology offers easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat)

• Low EMI

• Low Gate Charge

• Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

IKW25T120属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IKW25T120晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IKW25T120FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT,沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,25A

  • 开关能量:

    4.2mJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    50ns/560ns

  • 测试条件:

    600V,25A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 190W TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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