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IGW30N60H3分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IGW30N60H3
厂商型号

IGW30N60H3

参数属性

IGW30N60H3 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 60A 187W TO247-3

功能描述

High speed IGBT IN Trench and Fieldstop technology
IGBT 600V 60A 187W TO247-3

文件大小

1.5673 Mbytes

页面数量

14

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 12:01:00

IGW30N60H3规格书详情

IGW30N60H3属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IGW30N60H3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IGW30N60H3FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    1.38mJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    21ns/207ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10.5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 187W TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO247-3
6000
原装现货正品
询价
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO247-3
13880
公司只售原装,支持实单
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23+
N/A
90150
正品授权货源可靠
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INFINEON/英飞凌
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NA/
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2022+
TO-247
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Infineon/英飞凌
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PG-TO247-3
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Infineon/英飞凌
21+
PG-TO247-3
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