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IRG4RC10	文件：190.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10	文件：120.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10	文件：134.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10K	文件：134.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10KD	文件：190.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10KDPBF	文件：326.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10KPBF	文件：188.38 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCircuitRatedUltraFastIGBT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10S	文件：120.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10SD	文件：189.76 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. •Tightparameterdistribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10SDPBF	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. •Tightparameterdistribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10SDPBF	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10U	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UD	文件：191.19 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMu	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UDPBF	文件：308.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UDPBF	文件：308.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFRED™ultrafast,ultra-soft-recovery	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IndustrystandardTO-252AApackage •Lead-Free Benefits	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC10UTRPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhighereffciencythanpreviousgeneration Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IndustrystandardTO-252AApackage •Lead-Free Benefits	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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