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NGTB25N120LWG	文件：179.23 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB25N120SWG	文件：90.5 Kbytes Page：5 Pages	IGBT-InverterWelding	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SGH25N120	文件：499.71 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH25N120RUF	文件：499.71 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGL25N120RUF	文件：510.72 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGL25N120RUFD	文件：568.08 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGW25N120	文件：380.2 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeha	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGW25N120	文件：338.47 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKW25N120	文件：329.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKW25N120	文件：336.72 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
TSG25N120	文件：417.68 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TSG25N120	文件：417.68 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TSG25N120CN	文件：417.68 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
UG25N120	文件：144.88 Kbytes Page：4 Pages	1200VNPTTRENCHIGBT	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

产品属性

产品编号：
FGA25N120ANDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，25A
开关能量：
4.8mJ（开），1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
60ns/170ns
测试条件：
600V，25A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 1200V 40A 310W TO3P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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