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2SK3107C	文件：98.64 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The2SK3107C,N-channelverticaltypeMOSFETdesignedforgeneral-purposeswitch,isadevicewhichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. Features •Directlydrivenbya4.5Vpowersource. •Lowon-stateresistance RDS(on)1=2.7ΩMAX.(VGS=10V,ID=100mA)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3107C-T1-A	文件：98.64 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The2SK3107C,N-channelverticaltypeMOSFETdesignedforgeneral-purposeswitch,isadevicewhichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. Features •Directlydrivenbya4.5Vpowersource. •Lowon-stateresistance RDS(on)1=2.7ΩMAX.(VGS=10V,ID=100mA)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3107C-T1-AT	文件：98.64 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The2SK3107C,N-channelverticaltypeMOSFETdesignedforgeneral-purposeswitch,isadevicewhichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. Features •Directlydrivenbya4.5Vpowersource. •Lowon-stateresistance RDS(on)1=2.7ΩMAX.(VGS=10V,ID=100mA)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3107	文件：50.76 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORHIGHSPEEDSWITCHING DESCRIPTION The2SK3107isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. The2SK3107hasexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforuseasahigh-speedswitchingdeviceindigitalcircuits. FEATURES •Canbedrivenbya2.5-Vpowersource •Lowgatecu	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3107	文件：312.97 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORHIGHSPEEDSWITCHING DESCRIPTION The2SK3107isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya 2.5Vpowersource. The2SK3107hasexcellentswitchingcharacteristics,andissuitablefor useasahigh-speedswitchingdeviceindigitalcircui	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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深圳市凌旭科技有限公司	2SK3107-T1	NEC	2016+	SOT-423	18000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SK3107-T1	NEC	2008++	SOT-23	60200	新进库存/原装	询价
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