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2SK3114B	文件：334.54 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3114BisN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalow gatechargeandexcellentswitchingcharacteristics,anddesigned forhighvoltageapplicationssuchasswitchingpowersupply,AC adapter. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3114B	文件：1.0867 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3114B-S17-AY	文件：334.54 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3114BisN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalow gatechargeandexcellentswitchingcharacteristics,anddesigned forhighvoltageapplicationssuchasswitchingpowersupply,AC adapter. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3114	文件：92.18 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE The2SK3114isN-channelDMOSFETdevicethatfeaturesalowgatechargeandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasswitchingpowersupply,ACadapter. 1.Lowon-stateresistance:RDS(on)=2.2ΩMAX.(VGS=10V,ID=2.0A) 2.L	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3114	文件：1.08669 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3114	文件：323.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3114	文件：258.45 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3114isN-channelDMOSFETdevicethatfeaturesa lowgatechargeandexcellentswitchingcharacteristics,and designedforhighvoltageapplicationssuchasswitchingpower supply,ACadapter. FEATURES •Lowon-state	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多2SK3114B供应商更新时间2024-5-8 9:54:00

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