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2SK3113B-ZK-E2-AY	文件：202.85 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The2SK3113BisN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowgatechargeandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasswitchingpowersupply,ACadapter. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)=4.4ΩMAX.(VGS=10V,ID=1.0A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3113B-ZK-E2-AY	文件：347.16 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3113BisN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowgatechargeandexcellentswitching characteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasswitchingpowersupply,ACadapter. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(o	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多2SK3113B-ZK-E2-AY供应商更新时间2024-6-17 17:24:00

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