2SC5065-Y(TE85L,F)_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-Toshiba Semiconductor and Storage

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厂家型号：
2SC5065-Y(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
SC-70，SOT-323
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-9-20 11:00:00

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原厂料号：2SC5065-Y(TE85L,F)品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

2SC5065-Y(TE85L,F)是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装SC-70，SOT-323的2SC5065-Y(TE85L,F)晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
2sc5065-y(te85l,f)
规格书：
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资料说明：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

产品属性

类型
描述
产品编号：
2SC5065-Y(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
增益：
12dB ~ 17dB
功率 - 最大值：
100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 10mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70
描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

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