HN3C10FUTE85LF_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-Toshiba Semiconductor and Storage

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1+	¥4.56000

厂家型号：
HN3C10FUTE85LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
101
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2021-9-14 10:50:00

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原厂料号：HN3C10FUTE85LF品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

HN3C10FUTE85LF是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装6-TSSOP，SC-88，SOT-363的HN3C10FUTE85LF晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
hn3c10fute85lf
规格书：
下载
资料说明：
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

产品属性

类型
描述
产品编号：
HN3C10FUTE85LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
增益：
11.5dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
US6
描述：
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

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