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ZXTP25020DFLTA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ZXTP25020DFLTA |
| 参数属性 | ZXTP25020DFLTA 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 20V 1.5A SOT23-3 |
| 功能描述 | 20V, SOT23, PNP low power transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
465.55 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 15:34:00 |
| 人工找货 | ZXTP25020DFLTA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ZXTP25020DFLTA规格书详情
ZXTP25020DFLTA属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的ZXTP25020DFLTA晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Summary
BVCEO > -20V
BVECO > -4V
IC(cont) = 1.5A
VCE(sat) < 85 mV @ 1A
RCE(sat) = 54m
PD = 350mW
Complementary part number ZXTN25020DFL
描述 Description
Advanced process capability has been used to achieve high current gain
hold up making this device ideal for applications requiring high pulse
currents.
特性 Features
• High peak current
• Low saturation voltage
Applications
• DC-DC converters
• MOSFET and IGBT gate driving
产品属性
更多- 产品编号：
ZXTP25020DFLTA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
260mV @ 400mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 10mA，2V
- 频率 - 跃迁：
290MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PNP 20V 1.5A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
2450+ |
SOT-23-3 |
6540 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
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DIODES/美台 |
23+ |
NA |
5000 |
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DIODES |
1651+ |
? |
7500 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
25000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
DIODES(美台) |
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SOT-23(SOT-23-3) |
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Diodes Inc |
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DIODES/美台 |
21+ |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOT-23-3 |
9000 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
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