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ZXTBM322TA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ZXTBM322TA
厂商型号

ZXTBM322TA

参数属性

ZXTBM322TA 封装/外壳为3-PowerSMD,引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 4.5A 3MLP/DFN

功能描述

MPPS??Miniature Package Power Solutions 20V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR

封装外壳

3-PowerSMD,引线

文件大小

177.8 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ZETEX

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数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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ZXTBM322TA规格书详情

DESCRIPTION

Packaged in the innovative 2mm x 2mm MLP (Micro Leaded Package) outline, this new 4th generation low saturation transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

Additionally users will also gain several other key benefits:

Performance capability equivalent to much larger packages

Improved circuit efficiency & power levels

Lower package height (nom 0.9mm)

PCB area and device placement savings

Reduced component count

FEATURES

• Low Equivalent On Resistance

• Extremely Low Saturation Voltage (150mV @1A)

• hFE specified up to 6A

• IC= 4.5A Continuous Collector Current

• 2mm x 2mm MLP

APPLICATIONS

• DC - DC Converters (FET Drivers)

• Power switches

• Motor control

• LED backlighting

产品属性

  • 产品编号:

    ZXTBM322TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    270mV @ 125mA,4.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    25nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-PowerSMD,引线

  • 供应商器件封装:

    3-MLP/DFN(2x2)

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 4.5A 3MLP/DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ZETEX
24+
NA/
4650
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DIODES(美台)
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