ZXT849K分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ZXT849K |
| 参数属性 | ZXT849K 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 7A TO252-3 |
| 功能描述 | isc Silicon NPN Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
302.08 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
| 中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 12:00:00 |
| 人工找货 | ZXT849K价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ZXT849K规格书详情
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 30V(Min)
·Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat)= 240mV(Max) @IC=7A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier,high speed switching and
regulated power supply applications.
产品属性
- 产品编号：
ZXT849KTC
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
280mV @ 350mA，7A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，1V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252-3
- 描述：
TRANS NPN 30V 7A TO252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
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