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ZXT13P20DE6分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ZXT13P20DE6 |
| 参数属性 | ZXT13P20DE6 封装/外壳为SOT-23-6；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 20V 4A SOT26 |
| 功能描述 | 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
| 封装外壳 | SOT-23-6 |
| 文件大小 |
409.05 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Zetex Semiconductors |
| 企业简称 |
ZETEX |
| 中文名称 | Zetex Semiconductors官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-21 23:00:00 |
| 人工找货 | ZXT13P20DE6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ZXT13P20DE6规格书详情
SUMMARY
VCEO=-20V; RSAT = 47m ; IC= -3.5A
DESCRIPTION
This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.
FEATURES
• Extremely Low Equivalent On Resistance
• Extremely Low Saturation Voltage
• hFE characterised up to 10A
• IC=3.5A Continuous Collector Current
• SOT23-6 package
APPLICATIONS
• DC - DC Converters
• Power Management Functions
• Power switches
• Motor control
产品属性
- 产品编号：
ZXT13P20DE6TC
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 350mA，3.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
90MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-23-6
- 供应商器件封装：
SOT-26
- 描述：
TRANS PNP 20V 4A SOT26
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZETEX |
24+ |
NA/ |
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DIODES |
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