| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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DIODES/美台N/A |
500000 |
24+ |
美台原厂超低价支持 |
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15年
留言
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ZETEX原装 |
32360 |
25+ |
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ZETEX全新特价ZXT12P40DXTA即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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DIODES(美台)MSOP-8 |
1612 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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10年
留言
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ZETEXMSOP8 |
36318 |
2026+ |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
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7年
留言
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Diodes Incorporated8-MSOP |
6843 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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12年
留言
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DIODESMSOP8 |
9000 |
25+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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10年
留言
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ZETEX?MSOP8? |
5000 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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9年
留言
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原装MSOP8 |
6800 |
1923+ |
只做全新原装公司现货价格优惠可谈 |
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10年
留言
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DIODES/美台MOSP-8 |
8080 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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15年
留言
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DIODES/美台MSOP8 |
3882 |
2023+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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13年
留言
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ZETEXMSOP8 |
5000 |
22+ |
只做原装鄙视假货15118075546 |
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8年
留言
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ZETEXMSOP8 |
20000 |
24+ |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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12年
留言
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DIODES/美台MSOP-8 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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8年
留言
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ZETEXMSOP-8 |
4820 |
24+ |
只做原装正品 |
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12年
留言
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DIODES/美台MSOP8 |
15000 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
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13年
留言
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ZETEXMSOP8 |
2000 |
21+ |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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6年
留言
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DIODES-美台MSOP-8 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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KELVINTSSOP-8 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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DIODES-美台MSOP-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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DIODES-美台MSOP-8 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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ZXT12图片
ZXT12N50DXTA价格
ZXT12N50DXTA价格:¥2.8268品牌:Diodes
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ZXT12P40DXTA中文资料Alldatasheet PDF
更多ZXT12N20DX制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT12N20DXTA功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 20V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXT12N20DXTC功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 20V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXT12N50DX制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT12N50DXTA功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXT12N50DXTC功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXT12P12DX制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT12P12DXTA功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 12V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXT12P12DXTC功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 12V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZXT12P20DX制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR


































