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ADXL1004	文件：442.73 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,WideBandwidth,MEMSAccelerometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXL1004BCPZ	文件：442.73 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,WideBandwidth,MEMSAccelerometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXL1004BCPZ-RL	文件：442.73 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,WideBandwidth,MEMSAccelerometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AIVR1004	文件：122.24 Kbytes Page：8 Pages	tandardCMOSprocess	APLUSAPLUS APLUS	APLUS
AIVR1004	文件：201.17 Kbytes Page：8 Pages	StandardCMOSprocess.	APLUSAPLUS APLUS	APLUS
AN1004	文件：1.07567 Mbytes Page：16 Pages	Abroadportfolioofhighperformance,best-in-classSerialMemoryProductstomeetallyourdesignrequirements.	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APE1004	文件：293.89 Kbytes Page：6 Pages	verylowcostvoiceandmelodysynthesizerwith4-bitsCPU GeneralDescription TheAPExx04seriesareverylowcostvoiceandmelodysynthesizerwith4-bitsCPU.Theyhavevariousfeaturesincluding4-bitsALU,ROM,RAM,I/Oports,timers,clockgenerator,voiceandmelodysynthesizer,andPWM(Directdrive)output,etc.Theaudiosynthesizercontainson	APLUSAPLUS APLUS	APLUS
APE1004H	文件：88.37 Kbytes Page：3 Pages	THESLIMPOWERRELAY FEATURES •Slimsize 28mm(L)×5mm(W)×15mm(H) 1.102inch(L)×.197inch(W)×.591inch(H) permitshighdensitymounting •Wideswitchingcapacity:100mA/12VDC-6A/250VAC •Highsensitivity:170mW •Highbreakdown(4,000V)andsurge(6,000V)voltagebetweencontactsand	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
APT1004	文件：49.92 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RAN	文件：310.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RBN	文件：361.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RBN	文件：50.93 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RCN	文件：49.92 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RCN	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RDN	文件：332.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RGN	文件：297.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RGN	文件：50.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RKN	文件：51.05 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RKN	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ARD1004H	文件：541.41 Kbytes Page：8 Pages	26.5GHz,18GHzCOAXIALSWITCH FEATURES 1.Highfrequencycharacteristics(Impedance50Ω) 2.SPDTandtransfertypeavailable 3.Highsensitivity Nominaloperatingpower:840mW(SPDT,Failsafetype) 1540mW(Transfer,Failsafetype) 4.Longlife:5×106(SPDT) TYPICALAPPLICATIONS Wirelessandmobile	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS

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产品属性

产品编号：
ZXRE1004EFTC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
带盒（TB）
参考类型：
分流器
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
1.22V
容差：
±2%
温度系数：
75ppm/°C
噪声 - 10Hz 至 10Hz：
60µVrms
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
IC VREF SHUNT 2% SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳硅原半导体有限公司	ZXRE1004EFTC	Diodes现货	2022+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	350000	专注工业、军工级别芯片,十五年优质供应商	询价
深圳市昊创电子有限公司	ZXRE1004EFTC	DiodesIncorporated	19+		58000	原装正品价格优势	询价
深圳市毅创弘电子科技有限公司	ZXRE1004EFTC	DiodesIncorporated	23+	SOT-23	66800	全新更新库存原厂原装现货	询价
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更多ZXRE1004EFTC供应商更新时间2024-5-31 14:00:00

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