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ZXMHC6A07N8中文资料60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXMHC6A07N8

功能描述

60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 9:32:00

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ZXMHC6A07N8规格书详情

描述 Description

This new generation complementary MOSFET H-Bridge features low on-resistance achievable with low gate drive.

应用 Application

DC Motor controlDC-AC Inverters
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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :ZXMHC6A07N8

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Type

    :2 x P

  • ESD Diodes

    :No Y/N

  • VDS

    :60 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDSA +25ºC

    :1.39

  • PDW +25ºC

    :0.87 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :250

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :350

  • CISS Typ

    :166

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :3.2

  • Packages

    :SO-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes
22+
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