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ZX5T851G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

ZX5T851G

参数属性

ZX5T851G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

功能描述

NPN, 60V, 6A, SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-7 23:00:00

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ZX5T851G规格书详情

描述 Description

Packaged in the SOT223 outline this new 5th generation low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

应用 Application

Emergency lighting circuitsMotor driving (including DC fans)Solenoid, relay and actuator driversDC ModulesBacklight Inverters
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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :ZX5T851G

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :ZX5T851GQ

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :6 A

  • ICM (A)

    :20 A

  • PD (W)

    :3 W

  • hFE (min)

    :100 Min

  • hFE(@ IC)

    :0.01 A

  • hFE(Min 2)

    :55

  • hFE(@ IC2)

    :5 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :30 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/100

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :100 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/50

  • fT (MHz)

    :130 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT223

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