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ZX5T851G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ZX5T851G
厂商型号

ZX5T851G

参数属性

ZX5T851G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

功能描述

60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

122.36 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Zetex Semiconductors
企业简称

ZETEX

中文名称

Zetex Semiconductors官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 23:00:00

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ZX5T851G规格书详情

DESCRIPTION

Packaged in the SOT223 outline this new 5th generation low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

FEATURES

• Extremely low equivalent on-resistance; RSAT = 35mV at 6A

• 6 amps continuous current

• Up to 20 amps peak current

• Very low saturation voltages

• Excellent hFE characteristics up to 10 amps

APPLICATIONS

• Emergency lighting circuits

• Motor driving (including DC fans)

• Solenoid, relay and actuator drivers

• DC Modules

• Backlight Inverters

产品属性

  • 产品编号:

    ZX5T851GTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    260mV @ 300mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

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