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BZG04-10	文件：87.09 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification Features •Glasspassivatedjunction •Highreliability •Stand-offVoltagerange8.2Vto220V •Excellentclampingcabability •Fastresponsetime(typ.≤1psfrom0toVZmin) •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZG04-10	文件：31.78 Kbytes Page：7 Pages	Transientvoltagesuppressordiodes DESCRIPTION DO-214ACsurfacemountablepackagewithglasspassivatedchip.Thewell-definedvoid-freecaseisofatransfer-mouldedthermo-settingplastic. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •Excellentstability •UL94V-Oclassifiedplas	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BZG04-10	文件：187 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features ●Plasticpackagehasunderwriterslaboratory ●flammabilityclassification94V-0 ●OptimizedforLANprotectionapplications ●Lowprofilepackagewithbuilt-instrainrelieffor ●surfacemountedapplications ●Glasspassivatedjunction ●Lowincrementalsurgeresistance,excelle	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZG04-10	文件：248 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressor Features ◇Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ◇OptimizedforLANprotectionapplications ◇Lowprofilepackagewithbuilt-instrainreliefforsurfacemountedapplications ◇Glasspassivatedjunction ◇Lowincrementalsurgeresistance,excellentcla	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZG04-10	文件：307.93 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES FEATURES: Highreliability Stand-offVoltagerange8.2Vto220V Excellentclampingcabability Fastrespontime(typ.≤1psform0toVZmin) Lowleakagecurrent Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZG04-10-M	文件：94.17 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZW04-10	文件：124.48 Kbytes Page：6 Pages	PEAKPULSEPOWER:400W(10/1000ms) DESCRIPTION Transildiodesprovidehighovervoltageprotectionbyclampingaction.TheirinstantaneousresponsetotransientovervoltagesmakesthemparticularlysuitedtoprotectvoltagesensitivedevicessuchasMOSTechnologyandlowvoltagesuppliedIC’s. FEATURES ■PEAKPULSEPOWER:400W	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BZW04-10	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
BZW04-10	文件：509.04 Kbytes Page：4 Pages	AXIALLEADEDTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZW04-10	文件：3.83248 Mbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresist	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST

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