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ZVN3310F中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZVN3310F

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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ZVN3310F规格书详情

描述 Description

This MOSFET utilises a structure that combines low input capacitance with relatively low on-resistance and has an intrinsically higher pulse current handling capability in linear mode than a comparable trench technology structure. This MOSFET is suitable for general purpose applications.

Complementary Type – ZVP3310F

应用 Application

General purpose 100V FETPower managementDisconnect switchesTelecoms
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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :ZVN3310F

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :100 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :0.1 A

  • PD @ TA = +25°C

    :0.33 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :10000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :2.4 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :SOT23

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