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CEB655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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CED655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEF655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEI655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU655	文件：1.01018 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEU655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU655	文件：1.27835 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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产品属性

产品编号：
ZTX655STOB
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
E-Line-3，成型引线
供应商器件封装：
E-Line（TO-92 兼容）
描述：
TRANS NPN 150V 1A E-LINE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	ZTX655STOB	Diodes Incorporated	2022+	E-Line(TO-92 兼容)	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	ZTX655STOB	Diodes Incorporated	25+	E-Line-3 成型引线	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市星佑电子有限公司	ZTX655STZ	ZTX	05+	原厂原装	12051	只做全新原装真实现货供应	询价
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深圳市柯尔基电子有限公司	ZTX655STZ	MICRON	23+24	TSOP	27960	原装现货.优势热卖.终端BOM表可配单	询价
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深圳市一线半导体有限公司	ZTX656	ZETEX	24+	TO-92	500		询价
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千层芯半导体(深圳)有限公司	ZTX657	ZETEX	24+	E-Line	1450	只做原装正品	询价

更多ZTX655STOB供应商更新时间2025-7-29 8:24:00

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