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AD602JNZ	文件：588.85 Kbytes Page：28 Pages	Dual,LowNoise,WidebandVariableGainAmplifiers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD602JR	文件：669.88 Kbytes Page：20 Pages	Dual,LowNoise,WidebandVariableGainAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheAD600/AD6021dual-channel,lownoise,variablegainamplifiersareoptimizedforuseinultrasoundimagingsystemsbutareapplicabletoanyapplicationrequiringprecisegain,lownoiseanddistortion,andwidebandwidth.Eachindependentchannelprovidesagainof0dBt	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD602JR	文件：588.85 Kbytes Page：28 Pages	Dual,LowNoise,WidebandVariableGainAmplifiers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD602JR-REEL	文件：588.85 Kbytes Page：28 Pages	Dual,LowNoise,WidebandVariableGainAmplifiers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD602JRZ	文件：588.85 Kbytes Page：28 Pages	Dual,LowNoise,WidebandVariableGainAmplifiers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD602JRZ-RL	文件：588.85 Kbytes Page：28 Pages	Dual,LowNoise,WidebandVariableGainAmplifiers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADCMP602	文件：322.34 Kbytes Page：16 Pages	Rail-to-Rail,VeryFast,2.5Vto5.5V,Single-SupplyTTL/CMOSComparators GENERALDESCRIPTION TheADCMP600,ADCMP601,andADCMP602areveryfastcomparatorsfabricatedonXFCB2,anAnalogDevices,Inc.proprietaryprocess.Thesecomparatorsareexceptionallyversatileandeasytouse.FeaturesincludeaninputrangefromGND−0.5VtoVCC+0.2V,lownoise,TTL-/CM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADCMP602	文件：291.46 Kbytes Page：16 Pages	Rail-to-Rail,VeryFast,2.5Vto5.5V	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADCMP602BRMZ	文件：322.34 Kbytes Page：16 Pages	Rail-to-Rail,VeryFast,2.5Vto5.5V,Single-SupplyTTL/CMOSComparators GENERALDESCRIPTION TheADCMP600,ADCMP601,andADCMP602areveryfastcomparatorsfabricatedonXFCB2,anAnalogDevices,Inc.proprietaryprocess.Thesecomparatorsareexceptionallyversatileandeasytouse.FeaturesincludeaninputrangefromGND−0.5VtoVCC+0.2V,lownoise,TTL-/CM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADCMP602BRMZ	文件：291.46 Kbytes Page：16 Pages	Rail-to-Rail,VeryFast,2.5Vto5.5V	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
ZTX602STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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