ZTX601QSTZ_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-龙鼎威

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4000+	¥3.52373

厂家型号：
ZTX601QSTZ
制造商：
PAM/龙鼎威
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
E-Line-3，成型引线
包装：
卷带（TR）
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-25 16:24:00

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原厂料号：ZTX601QSTZ品牌：Diodes Incorporated

资料说明：PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

ZTX601QSTZ是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商PAM/龙鼎威生产封装E-Line-3，成型引线的ZTX601QSTZ晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
ztx601qstz
规格书：
下载
企业简称：
PAM【龙鼎威】详情
厂商全称：
Diodes Incorporated
资料说明：
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

产品属性

类型
描述
产品编号：
ZTX601QSTZ
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 10mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 500mA，10V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
E-Line-3，成型引线
供应商器件封装：
E-Line（TO-92 兼容）
描述：
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

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