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深圳市明嘉莱科技有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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ZETEXTO92S

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深圳市威尔健半导体有限公司

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ZTX104

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深圳市金华微盛电子有限公司

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深圳市中联芯电子有限公司

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ZTX1049ASTZ

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深圳市富利微电子科技有限公司

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ZTX1048A

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房间原装现货特价热卖,有单详谈

千层芯半导体(深圳)有限公司

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深圳市中远芯科技有限公司

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ZTX1049BSTZ

DIODES/美台TO-92-3

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深圳市川科科技有限公司

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ZTX1048ASTZ

DIODES-美台TO-92-3

9328

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深圳市凌旭科技有限公司

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ZTX1048A

DIODES/美台TO-92-3

1773

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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ZTX1047A

2413ZETEX

80000

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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

中天科工半导体（深圳）有限公司

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ZTX1048A

DIODESTO-92-3

69052

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深圳市威雅利发展有限公司

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ZTX1049ASTZ

DIODESTO-92

2000

2038

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深圳市一线半导体有限公司

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ZTX1049A

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深圳市米数科技有限公司

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ZTX1048A

DIODES/美台TO-92-3

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深圳市正纳电子有限公司

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ZTX1048A

DIODES/美台TO-92-3

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电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道

深圳市安富世纪电子有限公司

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ZTX1048A

DIODES(美台)TO-92-3

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市斌能达电子科技有限公司

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ZTX1049ASTZ

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ZTX1049A价格：￥1.7851品牌：Diodes

生产厂家品牌为Diodes的ZTX1049A多少钱，想知道ZTX1049A价格是多少？参考价：￥1.7851。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，ZTX1049A批发价格及采购报价，ZTX1049A销售排行榜及行情走势，ZTX1049A报价。

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ZTX1047ASTOA功能描述:TRANSISTOR NPN HIGH GAIN TO92-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

ZTX1047ASTOB功能描述:TRANSISTOR NPN HIGH GAIN TO92-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

ZTX1047ASTZ功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

ZTX1048制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

ZTX1048A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

ZTX1048ASTOA功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

ZTX1048ASTOB功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

ZTX1048ASTZ功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

ZTX1049A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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