SUB-1GHz单向无线射频发射器

ZT1806是内嵌高性能8051的低功耗SOC芯片，支持sub-1GHz高性能发射，支持宽频25~1020MHz，支持载波侦听等功能；发射功率可达15dBm，电流43mA；支持OOK，GFSK，Adv-MFSK®（纯国产自主可控调制解调技术），(G)MSK调制。 射频特性\r\n•支持频段 25~1020MHz\r\n•发射电流 43mA@15dBm\r\n•发射功率 ≤15dBm\r\n•晶体(晶振)外接24MHZ\r\n•功能 载波侦听\r\n\r\n调制特性\r\n•调制方式 Adv-MFSK®,OOK,(G)FSK,(G)MSK\r\n•数据格式 直通,组包,交织编码\r\n•数据率 05~300kbps\r\n•数据加扰，前向纠错\r\n\r\n电气特性\r\n•供电类型2~3.6V\r\n\r\n硬件特性\r\n•高性能 8051双时钟周期指令 高达12MIPS 4KB RAM,4KB EEPROM,12KB ROM 随机数产生器\r\n•;

ZETA

纵行

Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) • Maximum power dissipation 12.5 W • Nominal Z-voltage 10 ... 200 V • Metal case DO-4 • Weight approx. 5.5 g • Standard polarity: Cathode to s

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DIOTEC

德欧泰克

Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) • Maximum power dissipation 12.5 W • Nominal Z-voltage 10 ... 200 V • Metal case DO-4 • Weight approx. 5.5 g • Standard polarity: Cathode to s

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DIOTEC

德欧泰克

Silicon Power Z Diodes

Silicon Power Z Diodes • Maximum power dissipation 12.5 W • Nominal Z-voltage 3.9…200 V • Metal case DO-4 • Weight approx. 5.5 g • Standard polarity: Cathode to stud / Gewinde • Index R: Anode to

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