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ZSSC417X	文件：201.88 Kbytes Page：4 Pages	Sensor Signal Conditioner Family	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
ZSSC417XKITV1.4	文件：201.88 Kbytes Page：4 Pages	Sensor Signal Conditioner Family	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
ZSSC417XEVKV1P4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装功能：传感器信号调节器类别：开发板，套件，编程器评估和演示板及套件描述：ZSSC417X EVALUATION KIT V1.4	IDT, Integrated Device Technology Inc IDT, Integrated Device Technology Inc	IDT, Integrated Device Technology Inc
417	文件：50.85 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFUSES	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
A417RU	文件：175.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,4WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
AC-417	文件：109.8 Kbytes Page：1 Pages	ALUMINUMCHASSIS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ADG417	文件：91.82 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG417BN	文件：91.82 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG417BR	文件：91.82 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG417BRZ	文件：92.05 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AE417	文件：195.74 Kbytes Page：3 Pages	E-pHEMTMMIC	RFHICRFHIC RFHIC	RFHIC
AM417	文件：77.19 Kbytes Page：6 Pages	RATIOMETRICVOLTAGETRANSMITTER	AMEAnalogMicroElectronics，Inc. 安茂安茂微电子	AME
AM417	文件：276.44 Kbytes Page：18 Pages	Ratiometricinstrumentationamplifierwithadjustableoutputstage	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AM417	文件：270.45 Kbytes Page：18 Pages	Ratiometricinstrumentationamplifierwithadjustableoutputstage FEATURES •Instrumentationamplifierinputfor positiveinputvoltages:0...200mV •Adjustablegain •Commonmodeinputrange(CMIR): 1.3…VCC-2.2V •Outputvoltageratiometrictothe supply:0.5...4.5V •Lowoffset •Lowoffsetdrift •Supplyvoltagerange: 5V±5(ratiometricrange)	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
AM417	文件：270.76 Kbytes Page：18 Pages	Ratiometricinstrumentationamplifierwithadjustableoutputstage TYPICALAPPLICATIONS •Amplificationofresistorbridgesignals •Voltagemeasuremente.g.temperaturesensors •CurrentmeasurementviaShuntresistors •Amplificationcircuitryforsensingelementse.g.siliconpressuresensingelements •Differentialinputcircuitformicroprocessors/ADC-a	ANALOGMICROAnalog Microelectronics GmbH 芸圣微电子上海芸圣微电子有限公司	ANALOGMICRO
AN417	文件：306.74 Kbytes Page：21 Pages	Fromnickel-cadmiumtonickel-hydridefastbatterycharger	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AN-417	文件：602.52 Kbytes Page：17 Pages	Quad150MHzRail-to-RailAmplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD8044isaquad,lowpower,voltagefeedback,highspeedamplifierdesignedtooperateon+3V,+5V,or±5Vsupplies.Ithastruesingle-supplycapabilitywithaninputvoltagerangeextending200mVbelowthenegativerailandwithin1Vofthepositiverail. FEA	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN-417	文件：631.26 Kbytes Page：21 Pages	LowPower,LowNoiseandDistortionail-to-RailOutputAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheADA4841-1/ADA4841-2areunitygainstable,lownoiseanddistortion,rail-to-railoutputamplifiersthathaveaquiescentcurrentof1.5mAmaximum.Despitetheirlowpowerconsumption,theseamplifiersofferlowwidebandvoltagenoiseperformanceof2.1nV/√Hzand1.4pA/	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AOD417	文件：1.02329 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD417	文件：309.43 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=-25A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=-30V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=34mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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