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A1012Y

PNPPlastic-EncapsulateTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

AC1012

0.3TO1000MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIERS

TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated

华特力科

ADMV1012

17.5GHzto24GHz,GaAs,MMIC,I/QDownconverter

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

ADMV1012AEZ

17.5GHzto24GHz,GaAs,MMIC,I/QDownconverter

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

ADMV1012-EVALZ

17.5GHzto24GHz,GaAs,MMIC,I/QDownconverter

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AFBR-1012

FiberOpticTransmitterandReceiverfor50MBaudMOST

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安华高

AFBR-1012L

FiberOpticTransmitterandReceiverfor50MBaudMOST

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安华高

AFBR-1012M

FiberOpticTransmitterandReceiverfor50MBaudMOST

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安华高

AFBR-1012S

FiberOpticTransmitterandReceiverfor50MBaudMOST

AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED

安华高

AM1012

MOSFETN-CHANNEL1.8-V(G-S)MOSFET

FEATURES TrenchFETPowerMOSFET:1.8-VRated Gate-SourceESDProtected:2000V High-SideSwitching LowOn-Resistance:0.7Ω LowThreshold:0.8V(typ) FastSwitchingSpeed:10ns AvailableinSC-89Package DESCRIPTIONFEATURES TheAM1012isavailableinSC-89Package APPLICATION Drive

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

详细参数

  • 型号:

    ZS1012-T

  • 功能描述:

    TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 250W

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 极性:

    Bidirectional

  • 击穿电压:

    58.9 V

  • 钳位电压:

    77.4 V

  • 峰值浪涌电流:

    38.8 A

  • 封装/箱体:

    DO-214AB

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 最大工作温度:

    + 150 C

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ZS1012-T供应商 更新时间2025-7-12 16:36:00