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ZMD68601M数据手册ZMJSEMI中文资料规格书

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厂商型号

ZMD68601M

功能描述

Dual N-Channel Power MOSFET

制造商

ZMJSEMI SHENZHEN ZMJ SEMICONDUCTORS CO.,LTD

中文名称

真茂佳半导体 深圳真茂佳半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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ZMD68601M规格书详情

描述 Description

It combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON).

特性 Features

• Advance high cell density Trench technology\r
• Low RDS(ON) to minimize conductive loss\r
• Low Gate Charge for fast switching\r
• Dual DIE in one package

应用 Application

• Power Management in Notebook Computer,\r
• Portable Equipment and Battery Powered Systems

技术参数

  • 制造商编号

    :ZMD68601M

  • 生产厂家

    :ZMJSEMI

  • BVDSS

    :60

  • Channel

    :N+N

  • Vth(V)

    :1.8

  • Rds(on)@10V

    :23

  • Rds(on)@4.5V

    :27

  • ID(A)

    :23

  • Ciss

    :1850

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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