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ZM016N04HN

40V N-Channel Power MOSFET

The ZM016N04HN combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). • Advance high cell density Trench technology\r\n• Low Gate Charge for fast switching\r\n• Low Thermal resistance;

ZMJSEMI

真茂佳半导体

BSC016N04LSG

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:393.29 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

BSC016N04LSG

OptiMOSTM3 Power-Transistor

文件:316.87 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

ZM4756A-GS18

LL41

VISHAY/威世

ZMM18

LL32

ST意法半导体

上传:深圳市乐创天科技有限公司

ST意法半导体

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NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
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SOT
50000
原装现货
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MSV/萌盛微
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DFN3*3
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全新原装现货
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MSV/萌盛微
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DFN3*3
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全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
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ZMJSEMI/真茂佳
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DFN5X6
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更多ZM016N04HN供应商 更新时间2025-11-23 14:01:00