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ZGFM20120B-H

Zener Diodes

FormosaMS

美丽微半导体

AOK20120XSD

1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr

文件:884.99 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

CBD20120LCT

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

文件:52.63 Kbytes 页数:2 Pages

PANJIT

強茂

CBD20120UFCT

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

文件:71.1 Kbytes 页数:4 Pages

PANJIT

強茂

技术参数

  • Package:

    SMB

  • PD(W):

    2

  • VZ Min.(V):

    114

  • VZ Nom.(V):

    120

  • VZ Max.(V):

    126

  • IZ(mA):

    4.2

  • AEC-Q101Qualified:

    No

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