ZC836ATA分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ZC836ATA |
| 参数属性 | ZC836ATA 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）；产品描述：DIODE VAR CAP 100PF 25V SOT23-3 |
| 功能描述 | SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
151.22 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Zetex Semiconductors |
| 企业简称 |
ZETEX |
| 中文名称 | Zetex Semiconductors官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-2 23:00:00 |
| 人工找货 | ZC836ATA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ZC836ATA规格书详情
Description
A range of silicon varactor diodes for use in frequency control and filtering. Featuring closely controlled CV characteristics and high Q. Low reverse current ensures very low phase noise performance. Available in single or dual common cathode format in a wide rage of miniature surface mount packages.
Features
• Close tolerance CV characteristics
• High tuning ratio
• Low IR (typically 200pA)
• Excellent phase noise performance
• High Q
• Range of miniature surface mount packages
Applications
• VCXO and TCXO
• Wireless communications
• Pagers
• Mobile radio
产品属性
- 产品编号：
ZC836ATA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vr、F 时电容：
110pF @ 2V，1MHz
- 电容比条件：
C2/C20
- 二极管类型：
单路
- 不同 Vr、F 时 Q 值：
100 @ 3V，50MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
DIODE VAR CAP 100PF 25V SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
- |
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