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EIC

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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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深圳市佳芯扬电子有限公司

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Z1150制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON ZENER DIODES

Z1150A制造商:SYNSEMI 制造商全称:SYNSEMI 功能描述:SILICON ZENER DIODES

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Z1150C制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON ZENER DIODES

Z115A-B功能描述:稳压二极管 1.0W 115V 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel

Z115A-T功能描述:稳压二极管 1.0W 115V 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel

Z115-B功能描述:稳压二极管 1.0W 115V 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel

Z115B-B功能描述:稳压二极管 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel

Z115P0M9B1L--S制造商:SUNON 功能描述:FAN 115VAC 254X90MM 806CFM