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Z0103NA供应商库存 共有555条更新时间:2022-11-28 23:28:00

0103中文资料资料下载文件大小:704 Kbytes页面数量:1 页描述:DIN-Rundsteckverbinder厂家:LUMBERG [Lumberg]
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Z0103NA中文资料Alldatasheet PDF

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Z0103NA功能描述:双向可控硅 BULKSL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB

Z0103NA 1AA2功能描述:双向可控硅 1.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB

Z0103NA 2AL2功能描述:双向可控硅 1A TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB

Z0103NA 5AL2功能描述:双向可控硅 1.0 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB

Z0103NA,412功能描述:双向可控硅 BULKSL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB

Z0103NA0制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC 4Q 1A 800V TO92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC, 4Q, 1A, 800V, TO92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRIAC, 4Q, 1A, 800V, TO92; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:800V; Gate Trigger Current Max (QI), Igt:5mA; On State RMS Current IT(rms):1A; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz:13.8A; Gate Trigger Voltage Max Vgt:1.3V; Peak ;RoHS Compliant: Yes

Z0103NA0,412功能描述:双向可控硅 800 V 1 A TO92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB

Z0103NA412制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: