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YQ5LAM10ETF中文资料Trench MOS Structure, 100V, 5A, PMDTM, Highly Efficient SBD for Automotive数据手册ROHM规格书

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厂商型号

YQ5LAM10ETF

功能描述

Trench MOS Structure, 100V, 5A, PMDTM, Highly Efficient SBD for Automotive

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-28 17:59:00

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YQ5LAM10ETF规格书详情

描述 Description

The YQ5LAM10ETF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temperatures. Ideal for switching power supplies, freewheel diodes, and reverse polarity protection applications.

特性 Features

• High reliability
• Small power mold type
• Low VF and low IR
• Low capacitance

技术参数

  • 制造商编号

    :YQ5LAM10ETF

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :PMDTM

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Configuration

    :Single

  • Package Code

    :SOD-128

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Number of terminal

    :2

  • VRM[V]

    :100

  • Reverse Voltage VR[V]

    :100

  • Average Rectified Forward Current IO[A]

    :5

  • IFSM[A]

    :100

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]

    :0.61

  • IF @ Forward Voltage [A]

    :5

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]

    :0.05

  • VR @ Reverse Current[V]

    :100

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :2.5x4.7 (t=1.05)

  • Common Standard

    :AEC-Q101 (Automotive Grade)

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