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BAT754C	文件：2.10017 Mbytes Page：10 Pages	Schottkybarrierdiodes 1.1Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection, encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 1.2Featuresandbenefits Lowforwardvoltage Lowcapacitance AEC-Q101qualified 1.3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754C-Q	文件：193.94 Kbytes Page：8 Pages	DualSchottkybarrierdiode 1.Generaldescription PlanardualSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulated inasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101and	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754L	文件：37.15 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierTripleDiode SchottkyBarrierTripleDiode Features Verylowforwardvoltage Guardringprotected Lowdiodecapacitance ThreeindependentdiodesinasmallplasticSMDpackage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAT754L	文件：190.84 Kbytes Page：7 Pages	Schottkybarriertriplediode DESCRIPTION Threeinternal(galvanic)isolatedsiliconepitaxialSchottkybarrierdiodesinaSOT363smallSMDplasticpackage. FEATURES •Verylowforwardvoltage •Guardringprotected •Lowdiodecapacitance •ThreeindependentdiodesinasmallplasticSMDpackage. APP	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAT754L	文件：53.32 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarriertriplediode DESCRIPTION Threeinternal(galvanic)isolatedsiliconepitaxialSchottkybarrierdiodesinaSOT363smallSMDplasticpackage. FEATURES •Verylowforwardvoltage •Guardringprotected •Lowdiodecapacitance •ThreeindependentdiodesinasmallplasticSMDpackage. APP	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT754L	文件：1.95195 Mbytes Page：9 Pages	Schottkybarriertriplediode 1.1Generaldescription ThreeinternalisolatedplanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringfor stressprotection,encapsulatedinverysmallSOT363Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 1.2Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •AEC-Q101	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754L-Q	文件：200.36 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarriertriplediode 1.Generaldescription ThreeinternalisolatedplanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstress protection,encapsulatedinverysmallSOT363Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •Qualifiedac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754-Q	文件：193.72 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdiode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedina smallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecom	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754S	文件：37.27 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrier(double)diodes Features Ultrahighswitchingspeed Guardringprotected SmallplasticSMDpackage Lowdiodecapacitance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAT754S	文件：47.02 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodesencapsulatedinaSOT23smallplasticSMDpackage.LowforwardvoltageselectionoftheBAT54series.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. FEATURES •Verylowforwardvoltage •Guardringprotected •Small	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
YMF754-R
制造商：
YAMAHA
制造商全称：
YAMAHA CORPORATION
功能描述：
DS-1E

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