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YJD212014NCFG1Q中文资料汽车SiC MOSFET数据手册YJ规格书
技术参数
- 制造商编号
：YJD212014NCFG1Q
- 生产厂家
：YJ
- Blocking Voltage(V)
：1200
- Current Rating(A)
：152
- Generation
：Gen1
- Rdson(mΩ)@25℃
：14
- Gate Charge Total Qg（nC）
：230
- Output Capacitance Coss(pF)
：235
- Total Power Dissipation PTOT (W)
：625
- Thermal resistance RthJ-C(°C/W)
：0.24
- Maximum Junction Temperature （℃）
：175
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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YANGJIE(扬杰) |
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