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YJB200G06B中文资料中低压MOSFET(12V-400V)数据手册YJ规格书

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厂商型号

YJB200G06B

参数属性

YJB200G06B 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:N-CH MOSFET 60V 200A TO-263

功能描述

中低压MOSFET(12V-400V)

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

YJ YJYCOIN ELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

益嘉源 深圳市益嘉源电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-10-3 13:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :YJB200G06B

  • 生产厂家

    :YJ

  • Status

    :Active

  • ESD

    :No

  • Configuration

    :Single

  • Type

    :N

  • VDSS (V)

    :60

  • ID (A)

    :200

  • PD (W)

    :260

  • VGS (V)

    :±20

  • Tj (℃)

    :150

  • Vth_Typ(V)

    :2.8

  • Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)

    :2.3

  • Rdson@VGS10V_Max(mΩ)

    :2.9

  • Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)

    :-

  • Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)

    :-

  • Rdson@VGS2.5V_TYP(mΩ)

    :-

  • Rdson@VGS2.5V_Max(mΩ)

    :-

  • Rdson@VGS1.8V_TYP(mΩ)

    :-

  • Rdson@VGS1.8V_Max(mΩ)

    :-

  • Ciss_Typ(pF)

    :4165

  • Coss_Typ(pF)

    :900

  • Crss_Typ(pF)

    :59

  • Qg_Typ(nC)

    :65

  • Grade

    :Industrial

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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