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YG868C04R	文件：157.79 Kbytes Page：3 Pages	Low IR Schottky barrier diode Features Low IR Low VF Center tap connection Applications High frequency operation DC-DC converters AC adapter 文件：157.79 Kbytes 页数：3 Pages	FUJI 富士通	FUJI
YG868C04R	文件：268.85 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability. 文件：268.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
YG868C04R	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基势垒二极管（双管）	FUJI 富士通	FUJI
MS868C04	文件：624.73 Kbytes Page：5 Pages	Low IR Schottky Barrier Diode Features • Low IR • Low VF • Center tap connection Applications • High frequency operation • DC-DC converters • AC adapter 文件：624.73 Kbytes 页数：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
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YA868C04R	文件：147.27 Kbytes Page：3 Pages	Low IR Schottky barrier diode Features ● Low IR ● Low VF ● Center tap connection Applications ● High frequency operation ● DC-DC converters ● AC adapter 文件：147.27 Kbytes 页数：3 Pages	FUJI 富士通	FUJI

详细参数

型号：
YG868C04R
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
Low IR Schottky barrier diode

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