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YG858C15R

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

文件:668.8 Kbytes 页数:6 Pages

Fuji

富士通

YG858C15R

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability.

文件:268.04 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

YG858C15R

Schottky Barrier Diode

FUJI

富士通

YA858C15R

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

文件:734.73 Kbytes 页数:6 Pages

Fuji

富士通

详细参数

  • 型号:

    YG858C15R

  • 制造商:

    FUJI

  • 制造商全称:

    Fuji Electric

  • 功能描述:

    Schottky Barrier Diode

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更多YG858C15R供应商 更新时间2025-12-1 13:47:00