YG100R120数据手册Lu-Semi中文资料规格书
YG100R120规格书详情
特性 Features
1.优化耐压终端环,实现IGBT高阻断电压,达到工业级和汽车级可靠性标准;
2.控制少子寿命,优化饱和压降和开关速度,实现安全工作区(SOA)和短路电流安全工作区SCSOA性能最优;
3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性,抑制IGBT的闩锁效应;
4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺;实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。
技术参数
- 制造商编号
:YG100R120
- 生产厂家
:Lu-Semi
- Ic(A) @100℃
:100
- Configuration
:半桥
- Package
:--
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SEOUL |
24+ |
NA/ |
6805 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
N/A |
25+ |
NA |
880000 |
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SEOUL |
25+ |
LED |
54648 |
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FUJI |
17+ |
TO220F-2 |
4500 |
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LUXINSEMI |
23+ |
NA |
32000 |
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SEOUL |
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SMD |
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SSC |
23+ |
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ROHM |
6000 |
面议 |
19 |
SOP |
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JST/日压 |
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/ |
484664 |
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