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Y76DSH

大功率超高速半导体开关RSD

TECHSEM

台基半导体

技术参数

  • 重复峰值电流Ip(底宽50μs):

    250

  • 通态浪涌电流ITSM(底宽10ms):

    25

  • 正向压降VTM(I=Ip):

    25

  • 通态电流上升率di/dt:

    60

  • 通态电压上升率dv/dt:

    1.0

  • 反向触发峰值电流IRT:

    1.5

  • 触发脉冲宽度TT:

    1.5-3.0

  • 关断时间tq:

    250

  • 安装力F:

    35-47

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更多Y76DSH供应商 更新时间2025-11-16 13:01:00