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Y65DSE

大功率超高速半导体开关RSD

TECHSEM

台基半导体

技术参数

  • 重复峰值电流Ip(底宽50μs):

    180

  • 通态浪涌电流ITSM(底宽10ms):

    18

  • 正向压降VTM(I=Ip):

    20

  • 通态电流上升率di/dt:

    40

  • 通态电压上升率dv/dt:

    0.8

  • 反向触发峰值电流IRT:

    1.1

  • 触发脉冲宽度TT:

    1.5-3.0

  • 关断时间tq:

    120

  • 安装力F:

    27-34

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更多Y65DSE供应商 更新时间2026-7-27 13:00:00