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XSJ-10-EMPD-120R数据手册PHOGRAIN中文资料规格书

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厂商型号

XSJ-10-EMPD-120R

功能描述

120μmX60μm 侧入光监视PD芯片

制造商

PHOGRAIN PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN)CO.,LTD.

中文名称

芯思杰

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:01:00

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XSJ-10-EMPD-120R规格书详情

描述 Description

该XSJ-10-EMPD-120R是侧面入光的InGaAs/InP PIN监测光探测器芯片,为平面结构,阳极和阴极在正面,芯片侧面探测窗口是120μmX60μm,适合于数据中心和电信边射型激光器,在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度。适用于非气密性封装。

特性 Features

• PN电极在顶部和适合非气密性封装
• 侧边可探测区域:120μmX60μm
• 高响应度和低暗电流
• 低工作电压
• -40℃到85℃的工作范围
• 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
• 100%测试和外观检测
• 客户化的芯片尺寸

应用 Application

• LD后向光功率监测
• FTTH数字光通信
• 光互联

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