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XR80N03F	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-Ch MOSFET;	XNRUSEMIShenzhen Xinrui Semiconductor Technology Co. , Ltd. 新锐半导体深圳市新锐半导体科技有限公司	XNRUSEMI
80N03	文件：1.00146 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
80N03J	文件：994.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ADM80N03Z	文件：861.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Description: TheADM80N03ZusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withl	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
AP80N03GP-HF	文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP80N03GS-HF	文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
CJP80N03	文件：1.09793 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJP80N03	文件：996.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJU80N03	文件：993.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJU80N03	文件：1.12379 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

技术参数

Package Type：
PDFN5*6
Configuration：
Single
MOSFET Type：
N
VDS(V)：
30
VGS(V)：
±20
Vth typ.(V)：
1.5
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V：
4.2
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V：
6
ID (A)：
80

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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